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研究院半导体热特性测试系统T3ster助力南京大学发表论文于IEEE期刊

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2022-4-8     浏览次数:    

  近日,研究院为南京大学电子科学与工程学院提供测试服务,助力其论文《70-μm-Body Ga2O3 Schottky Barrier Diode with 1.48 K/W Thermal Resistance, 59 A Surge Current and 98.9% Conversion Efficiency》发表于国际电子信息领域知名期刊《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上。 


  半导体热特性测试系统T3ster,采用双界面法测得其器件的热阻值,验证了论文中提及的通过减薄衬底工艺获得的70微米厚Ga2O3肖特基二极管散热能力更强,在热管理方面有显著优势。该设备具有超强信噪比、高精密度,测试功率范围广等特点,能够对器件结温、半导体器件热阻和热容、热瞬态曲线、半导体器件封装内部结构进行测量、检验与分析。 


  此外,研究院还拥有多台套半导体材料与器件测试、器件工艺加工、车规级芯片可靠性、集成电路设计等软硬件设备设施,具备微电子(汽车电子)领域检验检测和技术服务能力。

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